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양성자 가속기
100 MeV 양성자 가속기 (100-MeV Proton Beam Accelerator)
- 개요
- 빛의 속도(30만 km/초)에 가깝게 가속한 양성자가 물질에 부딪힐 때 물질의 성질을 변화시키거나 새로운 물질을 생성하는 원리를 이용해서 첨단기술 개발에 활용하는 장치
- 주요 특징
-
100 MeV 양성자 가속기 주요특징의 에너지, 속도, 기본 반응, 연구개발 분야로 나뉘어 설명
| 에너지 |
속도 |
기본 반응 |
연구개발 분야 |
| 1 keV(1천 eV) |
5백km/초 |
물질 표면의 원자 또는 분자를 낱개로 떼어냄 |
나노 가공
빔가공 |
| 100 keV(10만 eV) |
5천km/초 |
물질 속에 박혀 물질의 구조와 성질을 변화시킴 |
표면 개질
나노 결정 |
| 10 MeV(1천만 eV) |
5만km/초 |
물질 내의 원자핵과 반응하여 새로운 원소를 생성함 |
동위원소 생산
신종 유전자원 |
| 100 MeV(1억 eV) |
13만km/초 |
무거운 원자핵을 쪼개어 가벼운 원소 또는 중성자를 생성함 |
신종 동위원소
중성자원 |
| 1 GeV(10억 eV) |
26만km/초 |
원자핵 속의 양성자, 중성자와 반응하여 중간자, 중성미자 등 소립자 생성 |
입자물리학
핵물리학 |
- 이용 분야
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- 동위원소 개발 및 생산
- 우주방사선 환경 모사시험시설
- 고에너지 물리학 또는 핵물리학 연구용 입자검출기 특성 평가
- 식물과 미생물의 돌연변이 연구
- 전력반도체 성능 및 신뢰성 향상
- 원자력재료 손상연구
- 나노입자 제조 등
- 대표 성과
-
- 철 이온빔 조사에 의한 균일한
Carbon Nano Tube Forest 성장
- MoS2 전계 효과 트랜지스터의
고에너지 양성자 조사 효과 검증
- 이용 문의
-
이온빔 장치 (Ion Beam Facilities)
- 개요
- 양성자, 헬륨, 질소, 아르곤, 제논 등의 이온을 대량으로 발생시킨 뒤 수십~수백 keV의 에너지로 가속해서 소재나 제품에 조사, 재료의 경도, 조도, 내마모성, 내부식성 등 기계적 특성을 향상시키거나 전기적, 기계적, 화학적, 광학적 특성을 변화시키는 장치
- 주요 특징
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이온빔 장치 주요특징의 장치 제원, 기체 이온빔 장치, 금속 이온빔 장치로 나뉘어 설명
| 장치 제원 |
기체 이온빔 장치 |
금속 이온빔 장치 |
| 에너지 (keV) |
20 ~ 200 |
20 ~ 150 |
| 빔전류 (mA) |
~ 5.0 |
~ 1.0 |
| 가용 이온 |
H, He, N, O, Ne, Ar, Kr, Xe 등 |
Co, Fe, Cu, Cr 등 |
| 조사 면적 |
최대 지름 150 mm |
최대 지름 100mm×100mm |
- 이용 분야
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- 대표 성과
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- 이용기 날 내구성 향상 표면처리 기술 개발
- 자외선 차단용 고분자 필름 개발
- 녹즙기 기어 금속원소 탈락 방지 표면처리 기술 개발
- 이온빔 처리에 의한 고분자 필름 기체차단막 형성 기술 개발
- 이용 문의
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