경주에 위치한 양성자과학연구단에는 100MeV 양성자가속기 이외에도 여러 이온빔 장치들이 있다. 기초연구에 활용되는 양성자가속기와는 달리 이온빔 장치는 저에너지 가속기로 재료 표면 처리, 반도체 도핑 등 산업적으로 응용 가능한 기술 연구에 다양하게 활용이 되고 있다.
반도체 기반 베타전지는 방사성동위원소에서 방출되는 베타선 전자를 전력으로 변환하는 초소형 배터리다. 태양이나 바람 같은 외부동력원 없이 자체적으로 전력생산이 가능하다. 별도의 재충전, 교체과정 없이 장기간 사용이 가능해 우주와 극지, 심해 등 극한환경에서 사용되는 차세대 전원으로 많은 관심을 받고 있다.
질화갈륨 기반 반도체 소재는 높은 출력과 전력변환효율을 가져 차세대 반도체 소재로 주목받고 있으나, 베타전지 구조 및 제작 공정 기술이 최적화되지 못해 이론적인 값에 한참 못 미치는 수준이다. 이온빔 기술 기반 반도체 도핑 공정 기술을 활용할 경우 베타전지 구조가 최적화될 수 있어 기존에 보고된 전지보다 향상된 출력과 전력변환효율을 얻을 수 있다. 이번 호에서는 이온빔 기술을 활용하여 질화갈륨 기반 고효율 베타전지 개발에 힘쓰고 있는 가속기이용연구부 베타전지 연구팀을 만난다.