예약 신청
기본정보
장비사진 | 장비명(한글) | 산화막 형성로 | |
---|---|---|---|
장비명(영문) | Oxide Furnace | ||
장비분류 | 반도체공정 | ||
도입년도 | 2015 | ||
NTIS번호 | NFEC-2015-10-205539 | ||
장비위치 | 방사선기기팹센터 1층 07호 | 장비상태 | 사용가능 |
기본사용료(천원) | 41000 | 전문가의뢰 | NO |
장비사진파일 | 34. 산화막 형성로.jpg (2508219 byte) |
상세정보
사양 | ●Substrate size : 6 inch ●Capacity : 50 substrate (include dummy wafer) ●Heater Horizontal type 3-zone heater ●Temperature : Max. 1,100 ℃ ●Used source : H2O (include bubbling system) ●Used gases : N2, Ar (carrier gas) ●Loader : Soft landing type auto loader ●System control : PC + PLC control |
---|---|
용도 | ● 반도체 웨이퍼 고온 습식 산화막 형성 공정장비 |
장비담당자정보
장비담당자명 | 강창구 | 장비담당전화 | 063-570-3706 |
---|---|---|---|
장비담당부서 | 방사선이용·운영부 | 장비담당직위 | 선임연구원 |
장비담당팩스 | 063-570-3748 | 장비담당메일 | cgkang@kaeri.re.kr |