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기본정보
| 장비사진 |
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장비명(한글) | 저압화학기상증착장치 |
|---|---|---|---|
| 장비명(영문) | Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) | ||
| 장비분류 | 반도체공정 | ||
| 도입년도 | 2015 | ||
| NTIS번호 | NFEC-2016-01-207406 | ||
| 장비위치 | 방사선기기팹센터 1층 07호 | 장비상태 | 사용가능 |
| 기본사용료(천원) | 75000 | 전문가의뢰 | NO |
| 장비사진파일 | 32. 저압화학기상 증착장비.jpg (2306298 byte) | ||
상세정보
| 사양 | ●Substrate size : 6 inch ●Capacity : 50 substrate (include dummy wafer) ●Heater : Horizontal type 3-zone heater ●Temperature : Max. 1,000℃ ●Ultimate pressure : 5*10-3 Torr ●Vacuum pump : Turbo+rotary pump ●Pressure control : APC(Automatic Pressure Control) ●Used gases : SiH4, PH3, ●Loader : Twin bar type auto loader ●System control : PC control |
|---|---|
| 용도 | ● 방사선 화합물 및 wafer에 산화막 및 질화막 증착 |
장비담당자정보
| 장비담당자명 | 강창구 | 장비담당전화 | 063-570-3706 |
|---|---|---|---|
| 장비담당부서 | 방사선이용·운영부 | 장비담당직위 | 선임연구원 |
| 장비담당팩스 | 063-570-3748 | 장비담당메일 | cgkang@kaeri.re.kr |