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기본정보
| 장비사진 |
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장비명(한글) | 플라스마를 이용한 화학기상증착장비 |
|---|---|---|---|
| 장비명(영문) | Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) | ||
| 장비분류 | 반도체공정 | ||
| 도입년도 | 2015 | ||
| NTIS번호 | NFEC-2016-01-207442 | ||
| 장비위치 | 방사선기기팹센터 1층 07호 | 장비상태 | 사용가능 |
| 기본사용료(천원) | 68800 | 전문가의뢰 | NO |
| 장비사진파일 | 31. 플라스마 화학기상 증착장비.jpg (3107923 byte) | ||
상세정보
| 사양 | ●Substrate size : 6 inch ●Capacity : 1(one) substrate ●Source(gas) injection type : Showerhead type ●Substrate chuck : Wafer temperature Max. 400 ℃ ●Power supply : 1,000 W RF generator & auto matching network ●Base pressure : 5*10-6 Torr ●Vacuum pump : Turbo + Rotary pump ●Pressure control : APC (Automatic Pressure Control) ●Used gases : SiH4, NH3, N2O, O2, Ar, CF4 ●Loadlock : Loadlock type ●System control : PC control |
|---|---|
| 용도 | ● 방사선 화합물 및 wafer에 산화막 및 질화막 증착 |
장비담당자정보
| 장비담당자명 | 강창구 | 장비담당전화 | 063-570-3706 |
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| 장비담당부서 | 방사선이용·운영부 | 장비담당직위 | 선임연구원 |
| 장비담당팩스 | 063-570-3748 | 장비담당메일 | cgkang@kaeri.re.kr |