예약 신청
기본정보
| 장비사진 |
|
장비명(한글) | 건식식각장비 |
|---|---|---|---|
| 장비명(영문) | Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch (ICP- | ||
| 장비분류 | 반도체공정 | ||
| 도입년도 | 2015 | ||
| NTIS번호 | NFEC-2016-01-207161 | ||
| 장비위치 | 방사선기기팹센터 1층 07호 | 장비상태 | 사용가능 |
| 기본사용료(천원) | 81100 | 전문가의뢰 | NO |
| 장비사진파일 | 30. 건식식각장비.jpg (1263163 byte) | ||
상세정보
| 사양 | ●Substrate size : 6 inch ●Capacity : 1(one) substrate ●Source(gas) injection type : Showerhead type ●Substrate chuck : Water cooling chuck ●Power supply : 600 W RF generator & auto matching network ●Base pressure : 1*10-6 Torr ●Vacuum pump : TMP + Rotary pump ●Pressure control : APC (Automatic Pressure Control) ●Used gases : O2, Ar, CF4, SF6, Cl2 ●System control : PC control |
|---|---|
| 용도 | ● 방사선 센서용 Bulk형 및 wafer형 반도체 정밀 패턴 형성 |
장비담당자정보
| 장비담당자명 | 강창구 | 장비담당전화 | 063-570-3706 |
|---|---|---|---|
| 장비담당부서 | 방사선이용·운영부 | 장비담당직위 | 선임연구원 |
| 장비담당팩스 | 063-570-3748 | 장비담당메일 | cgkang@kaeri.re.kr |