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기본정보
| 장비사진 |
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장비명(한글) | 급속열처리장치 |
|---|---|---|---|
| 장비명(영문) | Rapid Thermal Annealer | ||
| 장비분류 | 반도체공정 | ||
| 도입년도 | 2015 | ||
| NTIS번호 | NFEC-2015-09-204720 | ||
| 장비위치 | 방사선기기팹센터 (1층 07호) | 장비상태 | 사용가능 |
| 기본사용료(30분) | 38300 원 | 전문가의뢰 | NO |
| 장비사진파일 | 41. 급속열처리장치.jpg (997506 byte) | ||
상세정보
| 사양 | ●Substrate size : 6 inch ●Capacity : 1(one) substrate ●Heater : Halogen lamp ●Temperature : Max. 1,000 ℃ ●Substrate holder : Quartz holder ●Ultimate pressure : 5*10-3 Torr ●Vacuum pump : Rotary pump ●Used gases : N2, H2 ●System control : PC control |
|---|---|
| 용도 | ● 반도체 주입 불순물 activation용 ● Si 웨이퍼 및 화합물 반도체 stress relief annealing |
장비담당자정보
| 장비담당자명 | 강창구 | 장비담당전화 | 063-570-3706 |
|---|---|---|---|
| 장비담당부서 | 방사선이용·운영부 | 장비담당직위 | 선임연구원 |
| 장비담당팩스 | 063-570-3748 | 장비담당메일 | - |