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기본정보
| 장비사진 |
|
장비명(한글) | 급속열처리장치 |
|---|---|---|---|
| 장비명(영문) | Rapid Thermal Annealer | ||
| 장비분류 | 반도체공정 | ||
| 도입년도 | 2015 | ||
| NTIS번호 | |||
| 장비위치 | 방사선기기FAB. | 장비상태 | 사용가능 |
| 기본사용료(천원) | 전문가의뢰 | NO | |
| 장비사진파일 | 41급속열처리장치.JPG (49105 byte) | ||
상세정보
| 사양 | ●Substrate size : 6 inch ●Capacity : 1(one) substrate ●Heater : Halogen lamp ●Temperature : Max. 1,000 ℃ ●Substrate holder : Quartz holder ●Ultimate pressure : 5*10-3 Torr ●Vacuum pump : Rotary pump ●Used gases : N2, H2 ●System control : PC control |
|---|---|
| 용도 | ● 반도체 주입 불순물 activation용 ● Si 웨이퍼 및 화합물 반도체 stress relief annealing |
장비담당자정보
| 장비담당자명 | 강창구 | 장비담당전화 | 063-570-3706 |
|---|---|---|---|
| 장비담당부서 | 방사선기기연구부 | 장비담당직위 | 선임연구원 |
| 장비담당팩스 | 063-570-3748 | 장비담당메일 | cgkang@kaeri.re.kr |